IGBT N-Ch Vces=630V Ic=35A 25W, TO-263 IGBT RJP63K2

Начало » ИНТЕГРАЛНИ СХЕМИ » SAMSUNG » IGBT N-Ch Vces=630V Ic=35A 25W, TO-263

IGBT N-Ch Vces=630V Ic=35A 25W, TO-263

#72106

Налично: yes

3,67 лв.

Количество:

IGBT RJP63K2

Описание

Условия

Отзиви

Подобни продукти

LA5618 Fixed Mixed Standard Regulator, 2 Output, 7.5V1, -7.5V2,

Fixed Mixed Standard Regulator, 2 Output, 7.5V1, -7.5V2,

RDA3118E RDA3118E28 HSSOP-28 /50-W Stereo (BTL) Class-D Audio Amp W/ SpeakerGuardâ/

RDA3118E28 HSSOP-28 /50-W Stereo (BTL) Class-D Audio Amp W/ SpeakerGuardâ/

0505-003224 Транзистор за Samsung FET-SILICON;AO6405,P,30V,-5A,0.052OHM,2W 6p

Транзистор за Samsung FET-SILICON;AO6405,P,30V,-5A,0.052OHM,2W 6p

Социални мрежи

Контакти

052 650660

9018 Варна, ул. "Братя Миладинови" 110

През работно време 052 650660

Бързи връзки

Copyright ® 2019 МАКС СЕРВИЗ
Складов софтуер с онлайн магазин от ФОРНЕКСТ ЕООД