IGBT N-Ch Vces=630V Ic=35A 25W, TO-263 IGBT RJP63K2

Начало » ИНТЕГРАЛНИ СХЕМИ » SAMSUNG » IGBT N-Ch Vces=630V Ic=35A 25W, TO-263

IGBT N-Ch Vces=630V Ic=35A 25W, TO-263

#72106

Налично: yes

3,67 лв.

Количество:

IGBT RJP63K2

Описание

Условия

Отзиви

Подобни продукти

FA1A60N SOP-8 PFC control IC FA1A60N LLC current resonant control IC FA6B20N Power supply design example： 180W,

PFC control IC FA1A60N LLC current resonant control IC FA6B20N Power supply design example： 180W,

30070436 /DIODE SMD ARRAY ESD CDA4C16GTH 0508 ROHS/ = 996590003151

/DIODE SMD ARRAY ESD CDA4C16GTH 0508 ROHS/ = 996590003151

1203-002842 3.3V AP1117D IC-POSI.FIXED REG.;AP1117D-33,TO-252,3P,

3.3V AP1117D IC-POSI.FIXED REG.;AP1117D-33,TO-252,3P,

Социални мрежи

Контакти

052 650660

9018 Варна, ул. "Братя Миладинови" 110

През работно време 052 650660

Бързи връзки

Copyright ® 2019 МАКС СЕРВИЗ
Складов софтуер с онлайн магазин от ФОРНЕКСТ ЕООД