Транзистор FET-SILICON;SI4435DDY-T1-GE3,P FET-SILICON;SI4435DDY-T1-GE3,P,30V,-11.4 0505-001844

Начало » ТРАНЗИСТОРИ » SAMSUNG » Транзистор FET-SILICON;SI4435DDY-T1-GE3,P FET-SILICON;SI4435DDY-T1-GE3,P,30V,-11.4

Транзистор FET-SILICON;SI4435DDY-T1-GE3,P FET-SILICON;SI4435DDY-T1-GE3,P,30V,-11.4

#4439

Налично: yes

1,58 лв.

Количество:

0505-001844

Описание

Условия

Отзиви

Подобни продукти

FDD120AN15A0 TR NMOS FDD120AN15A0 14A/150V DPAK ROHS /VESTEL 30073544/

TR NMOS FDD120AN15A0 14A/150V DPAK ROHS /VESTEL 30073544/

30049532 SK24 DIODE SCH SK24 2A/40V DO214AC

SK24 DIODE SCH SK24 2A/40V DO214AC

AM4512C SO-8 MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+6.9/-5A Rds(on)=27/49mR 2W, =AO4600 Dual N-and P channel,MosFET,30V,7A,2.1W,<20-46mom(6A),8-SOP

MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+6.9/-5A Rds(on)=27/49mR 2W, =AO4600 Dual N-and P channel,MosFET,30V,7A,2.1W,<20-46mom(6A),8-SOP

Социални мрежи

Контакти

052 650660

9018 Варна, ул. "Братя Миладинови" 110

През работно време 052 650660

Бързи връзки

Copyright ® 2019 МАКС СЕРВИЗ
Складов софтуер с онлайн магазин от ФОРНЕКСТ ЕООД